PBSS5540X, PNP transistor 4A SOT89,P

PartNumber: PBSS5540X
Ном. номер: 8012027140
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS5540X, PNP transistor 4A SOT89,P
Доступно на заказ более 200 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
23 руб. × = 230 руб.
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 16 руб.
от 200 шт. — 10.25 руб.

Описание

Low Saturation Voltage PNP Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors

Semiconductors

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
1.6 x 4.6 x 2.6mm
высота
1.6mm
длина
4.6mm
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
60 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
UPAK
Pin Count
4
ширина
2.6mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.375 V
Minimum DC Current Gain
50
Transistor Type
PNP

Дополнительная информация

PBSS5540X 40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Data Sheet PBSS5540X