PBSS8110Z,135, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 650 мВт, SOT-223, Surface Mount

Фото 2/4 PBSS8110Z,135, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 650 мВт, SOT-223, Surface MountФото 3/4 PBSS8110Z,135, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 650 мВт, SOT-223, Surface MountФото 4/4 PBSS8110Z,135, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 650 мВт, SOT-223, Surface Mount
Фото 1/4 PBSS8110Z,135, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 650 мВт, SOT-223, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5555 шт., срок 5-6 недель
68 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.36 руб.
от 250 шт.33 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 340 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8000011326
Артикул: PBSS8110Z,135
Производитель: Nexperia

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
• PNP complement is PBSS9110Z
• PB8110 Marking code

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 100В
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Рассеиваемая Мощность 650мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE 150hFE
Transistor Mounting Surface Mount
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,2 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1.05 V
Длина 6.7мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 120 V
Производитель Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 100 В
Тип корпуса SOT-223 (SC-73)
Максимальное рассеяние мощности 1,4 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора 1 А
Тип транзистора NPN
Высота 1.7мм
Число контактов 4
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 1.7 x 6.7 x 3.7мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 80
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0,2 В
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,05 В
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 120 В
Brand Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage 100 В
Тип корпуса SOT-223 (SC-73)
Максимальное рассеяние мощности 1,4 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Maximum DC Collector Current 1 A
Transistor Type NPN
Число контактов 4
Размеры 1.7 x 6.7 x 3.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Pd - рассеивание мощности 1400 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.7 mm
Длина 6.7 mm
Другие названия товара № /T3 PBSS8110Z
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 4000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm
Вес, г 0.154

Дополнительная информация

Datasheet PBSS8110Z,135
Datasheet PBSS8110Z,135

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах