PD55003L-E, RF MOSFET N-Ch 40V 2.5A P

PartNumber: PD55003L-E
Ном. номер: 8118528174
Производитель: ST Microelectronics
PD55003L-E, RF MOSFET N-Ch 40V 2.5A P
Доступно на заказ более 5 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
970 руб. × = 970 руб.
от 10 шт. — 720 руб.
от 50 шт. — 585.80 руб.

Описание

RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics

RF MOSFET Transistors

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
RF MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Quad Drain, Quad Gate, Single
размеры
5 x 5 x 0.88mm
высота
0.88mm
длина
5mm
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Maximum Gate Source Voltage
±15 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
14 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
PowerFLAT
Pin Count
14
Typical Input Capacitance @ Vds
34 pF@ 12 V.5 V
Typical Power Gain
19 dB
ширина
5mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

PD55003L-E RF POWER TRANSISTOR Data Sheet PD55003L-E