PDTC114YT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм

Фото 2/8 PDTC114YT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОмФото 3/8 PDTC114YT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОмФото 4/8 PDTC114YT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОмФото 5/8 PDTC114YT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОмФото 6/8 PDTC114YT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОмФото 7/8 PDTC114YT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОмФото 8/8 PDTC114YT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм
Фото 1/8 PDTC114YT,215, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
29180 шт., срок 5-6 недель
28 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.21 руб.
от 100 шт.15 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 140 руб.
Посмотреть альтернативные предложения7
Номенклатурный номер: 8033831870
Артикул: PDTC114YT,215
Производитель: Nexperia

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• AEC-Q101 qualified
• PNP complement is PDTA114YT
• 27 Marking code

Технические параметры

Количество Выводов 3 Вывода
Напряжение Коллектор-Эмиттер 50в
Корпус РЧ Транзистора sot-23
Резистор На входе Базы R1 10кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic 100мА
Резистор База-эмиттер R2 47кОм
Полярность Цифрового Транзистора Одиночный NPN
Линейка Продукции PDTC114Y Series
Transistor Mounting Surface Mount
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,1 В
Типичный коэффициент резистора 0,21, 1
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 50 V
Максимальный непрерывный ток коллектора 100 mA
Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 1.4мм
Тип транзистора NPN
Высота 1мм
Число контактов 3
Размеры 3 x 1.4 x 1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 10 V
Типичный входной резистор 10 кΩ
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 100
Base Product Number PDTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.07

Дополнительная информация

Datasheet PDTC114YT,215
Datasheet PDTC114YT,215

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах