PDTC143ZT,215, Транзистор, NPN RET, 50В, 0.1А, R1=4.7кОм, R2=47кОм [SOT-23-3]
![Фото 1/6 PDTC143ZT,215, Транзистор, NPN RET, 50В, 0.1А, R1=4.7кОм, R2=47кОм [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1605 шт. со склада г.Москва
13 руб.
от 100 шт. —
7.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
| Структура | npn с 2 резисторами | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 | |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 230 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 | |
| Корпус | sot-23 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
