PJT7600-R1, Transistor: N/P-MOSFET

Фото 1/2 PJT7600-R1, Transistor: N/P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
8029431542
Артикул
PJT7600-R1
Case
SOT363
Drain current
1A/-700mA
Drain-source voltage
20/-20V
Gate charge
1.6/2.2nC
Gate-source voltage
±8V
Все параметры
2685 шт., срок 5-6 недель
210 руб.
от 10 шт.96 руб.
от 100 шт.56 руб.
от 500 шт.40.26 руб.
1 шт. на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Технические параметры

Case SOT363
Drain current 1A/-700mA
Drain-source voltage 20/-20V
Gate charge 1.6/2.2nC
Gate-source voltage ±8V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer PanJit Semiconductor
Mounting SMD
On-state resistance 400/600mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 0.35W
Type of transistor N/P-MOSFET
Вес, г 0.01

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.