PMBFJ175,215, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 7 мА, 70 мА, 6 В

PartNumber: PMBFJ175,215
Ном. номер: 8006750053
Производитель: NXP Semiconductor
PMBFJ175,215, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 7 мА, 70 мА, 6 В
Доступно на заказ 1935 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
24 руб. × = 24 руб.
от 25 шт. — 20 руб.
от 100 шт. — 16 руб.

Описание

The PMBFJ175.215 is a P-channel silicon symmetrical JFET housed in plastic micro miniature envelopes. It is a surface-mount device designed for use with analogue switches, choppers and commutator applications.

• Interchangeability of the drain and source connections

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3 Вывода
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Напряжение Пробоя Vbr
30В
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)
7мА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
Тип Транзистора
JFET
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)
70мА

Дополнительная информация

Datasheet PMBFJ175,215