Мой регион: Россия

PMPB11EN, Trench MOSFET N-channel 3

PartNumber: PMPB11EN
Ном. номер: 8000004626
Производитель: NXP Semiconductor
PMPB11EN, Trench MOSFET N-channel 3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
48 руб.
2790 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 100 шт. — 26 руб.
от 250 шт. — 22 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 480 руб.
N-Channel MOSFET, up to 30V, Nexperia

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9 А
Тип корпуса
DFN2020
Максимальное рассеяние мощности
12,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2.1мм
Высота
0.65мм
Размеры
2.1 x 2.1 x 0.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.1мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
9 ns
Производитель
Nexperia
Типичное время задержки выключения
17 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
14,5 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
13.7 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
840 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.