PN2907ABU
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
56 руб.
от 10 шт. —
39 руб.
от 100 шт. —
23.06 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-800mA; DC Current Gain hFE:50hFE; T
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 0.8 A |
| DC Current Gain hFE Max | 300 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 200 MHz |
| Height | 4.7 mm |
| Length | 4.7 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3L |
| Packaging | Bulk |
| Part # Aliases | PN2907ABU_NL |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | PN2907A |
| Transistor Polarity | PNP |
| Unit Weight | 0.006314 oz |
| Width | 3.93 mm |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory | Transistors |
| Вес, г | 0.179 |
Техническая документация
Datasheet PN2907ABU
pdf, 436 КБ
Документация
pdf, 862 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
