PS11032, IGBT модуль 0.2кВт 220В 1/3 фаз
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 920 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 920 руб.
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
Технические параметры
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от перегрева | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Защита по току | есть |
| Макс.напр.к-э,В | 220 |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Мощность привода, кВт | 0.2 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.9 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 4 |
| Структура модуля | 3-ф.выпр-ль+3ф мост |
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Вес, г | 73 |
Техническая документация
Mitsubishi Power Devices General Catalog
pdf, 1982 КБ
