Мой регион: Россия

PSMN1R7-60BS, Power MOSFET N-channel 60

PartNumber: PSMN1R7-60BS
Ном. номер: 8000004627
Производитель: NXP Semiconductor
PSMN1R7-60BS, Power MOSFET N-channel 60
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
420 руб.
1176 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 8 шт. — 290 руб.
от 40 шт. — 241 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 840 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
120 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
306 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
11мм
Высота
4.5мм
Размеры
10.3 x 11 x 4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
42 ns
Производитель
Nexperia
Типичное время задержки выключения
115 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
3.1 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
137 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
9997 пФ при 30 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.