Мой регион: Россия

PSMN3R8-100BS, Power MOSFET N-channel 10

PartNumber: PSMN3R8-100BS
Ном. номер: 8000004628
Производитель: NXP Semiconductor
PSMN3R8-100BS, Power MOSFET N-channel 10
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
240 руб.
1034 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 20 шт. — 150 руб.
от 50 шт. — 135 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 480 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
306 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
11мм
Высота
4.5мм
Размеры
10.3 x 11 x 4.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.3мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
45 ns
Производитель
Nexperia
Типичное время задержки выключения
122 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
6,9 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
110 В перем. тока
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
170 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
9900 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.