Мой регион: Россия

PSMN9R0-25MLC, FET, NXP

PartNumber: PSMN9R0-25MLC
Ном. номер: 8000005108
Производитель: NXP Semiconductor
PSMN9R0-25MLC, FET, NXP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
52 руб.
60 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 45 шт. — 34 руб.
Кратность заказа 15 шт.
Добавить в корзину 15 шт. на сумму 780 руб.
N-Channel MOSFET, up to 30V, Nexperia

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
55 А
Тип корпуса
LFPAK33
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
2.7мм
Высота
0.9мм
Размеры
3.4 x 2.7 x 0.9мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7.1 ns
Производитель
Nexperia
Типичное время задержки выключения
11.1 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1.95V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
11,3 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
11,7 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
705 пФ при -12,5 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.