PT480FE0000F, Phototransistor IR Chip 860nm 2-Pin
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10964 шт., срок 7-9 недель
54 руб.
Мин. кол-во для заказа 690 шт.
от 1724 шт. —
52 руб.
от 3900 шт. —
50 руб.
Добавить в корзину 690 шт.
на сумму 37 260 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductor - Discrete > Opto Discrete - LED > Phototransistor
Описание Фототранзистор, Разм: 3x4x2,95мм, -p макс: 860нм, 35В, 35°
Технические параметры
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | Side Looking |
| Типичное Значение Длины Волны | 860нм |
| Энергопотребление | 75мВт |
| Angle of Half Sensitivity | 26 ° |
| Collector Current | 20mA |
| Maximum Dark Current | 100nA |
| Maximum Light Current | 3000µA |
| Maximum Wavelength Detected | 860nm |
| Minimum Wavelength Detected | 860nm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Pins | 2 |
| Polarity | NPN |
| Spectral Range of Sensitivity | Maximum of 860 nm |
| Spectrums Detected | Infrared |
| Typical Fall Time | 3.5µs |
| Typical Rise Time | 3µs |
| Width | 2.95mm |
| Package Type | Side Looker |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
