QSZ2TR, 30V 1.25W 270@100mA,2V 1.5A NPN+PNP TSMT5 Bipolar BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

8011671262

Артикул

QSZ2TR

Бренд

Pd - рассеивание мощности

1.25 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.85 mm

Длина

2.9 mm

Другие названия товара №

QSZ2

Все параметры

pdf, 1541 КБ

250 шт., срок 8-9 недель

32 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 10 шт. — 25 руб.

от 30 шт. — 22 руб.

от 100 шт. — 17.30 руб.

6 шт. на сумму 192 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения4

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание Отзывы

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 30V 1.5A 5PIN

Pd - рассеивание мощности	1.25 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.85 mm
Длина	2.9 mm
Другие названия товара №	QSZ2
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	270 at 100 mA, 2 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	270 at 100 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	140 mV, - 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz, 280 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	QSZ2
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Ширина	1.6 mm
Вес, г	0.05