R6004JNJGTL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 4 А, 1.1 Ом, TO-263S, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 шт., срок 8-10 недель
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
320 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 800 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.1Ом |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 6В |
| Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263S |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet R6004JNJGTL
pdf, 2228 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
