R6007END3TL1, Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2500 шт., срок 6-8 недель

160 руб.

Мин. кол-во для заказа 210 шт.

Добавить в корзину 210 шт. на сумму 33 600 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8002355755

Артикул: R6007END3TL1

Бренд: Rohm

Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply. Low on-resistance. Fast switching speed.

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.57Ом
Power Dissipation	78Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	7А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	78Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.57Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Forward Diode Voltage	1.5V
Maximum Continuous Drain Current	7 A
Maximum Drain Source Resistance	620 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	±30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	78 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	R6007END3
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	20 nC @ 10 V
Width	6.4mm
Transistor Material	Si
Вес, г	1