R6020ENJTL, Транзистор: N-MOSFET
50 шт., срок 7 недель
580 руб.
от 10 шт. —
440 руб.
от 30 шт. —
423 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
600V 20A 40W 196mΩ@9.5A,10V 4V@1mA 1PCSNChannel TO-263 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 196mΩ@9.5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.4nF@25V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 40W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 1.7 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
