R6511ENJTL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 11 А, 0.36 Ом, TO-263S, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 шт., срок 8-10 недель
660 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
570 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 640 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Super Junction-MOS EN & KN Series MOSFETsROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN and KN Series MOSFETs combine the low-noise characteristics of planar MOSFETs and the low ON-resistance characteristics of Super Junction MOSFETs. The EN Series is offered in 600V and 650V versions, and is recommended for power supply circuits requiring noise countermeasures. The fast switching KN Series is offered in 600V, 650V, and 800V variants, and is recommended for power supply circuits demanding lower loss and greater efficiency.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.36Ом |
| Power Dissipation | 124Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 124Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.36Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263S |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | R6511ENJ |
| Pd - Power Dissipation: | 124 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 32 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
| Rise Time: | 35 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet R6511ENJTL
pdf, 2259 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
