RD3S100CNTL1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 190 В, 10 А, 0.13 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1996 шт., срок 8-10 недель
550 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
470 руб.
от 100 шт. —
383 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 750 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Silicon Power MOSFETsROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.13Ом |
| Power Dissipation | 85Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 190В |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.13Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 75 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 6 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | RD3S100CN |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 52 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 182 mOhms |
| Rise Time: | 20 ns |
| Series: | RD3S |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 140 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 190 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet RD3S100CNTL1
pdf, 1584 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
