RE1C002UNTCL, MOSFET

Фото 2/2 RE1C002UNTCL, MOSFET
Фото 1/2 RE1C002UNTCL, MOSFET
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2400 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
10 руб.
7 руб.
Кратность заказа 150 шт.
от 750 шт.6 руб.
от 1500 шт.4 руб.
Добавить в корзину 150 шт. на сумму 1 050 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8000094675
Артикул: RE1C002UNTCL
Производитель: Rohm

Описание

Semiconductors
N-канальные MOSFET-транзисторы, ROHM

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 1.7мм
Brand ROHM
Maximum Continuous Drain Current 200 mA
Package Type SOT-416FL
Maximum Power Dissipation 150 мВт
Серия RE1C002UN
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 0.96mm
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Высота 0.8мм
Minimum Gate Threshold Voltage 0.3V
Maximum Drain Source Resistance 4.8 Ω
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Pin Count 3
Channel Mode Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V
Forward Diode Voltage 1.2V
Transistor Mounting Surface Mount
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Напряжение Измерения Rds(on) 2.5В
Напряжение Истока-стока Vds 20В
Непрерывный Ток Стока 200мА
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 150мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.8Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOT-416FL

Техническая документация

Datasheet RE1C002UNTCL
pdf, 2542 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах