Мой регион: Россия

RFD14N05LSM, МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 50 В, 0.1 Ом, 5 В, 2 В

Ном. номер: 8215646443
PartNumber: RFD14N05LSM
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 RFD14N05LSM, МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 50 В, 0.1 Ом, 5 В, 2 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 RFD14N05LSM, МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 50 В, 0.1 Ом, 5 В, 2 В
80 руб.
5215 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 66 руб.
от 100 шт. — 43 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
170 руб. 8 дней, 139 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 68 руб.
55 руб. 3-4 недели, 2940 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 47.30 руб.
от 100 шт. — 36.50 руб.
42 руб. 2-3 недели, 117 шт. 3 шт. 15 шт.
от 99 шт. — 33 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The RFD14N05LSM is a N-channel logic level Power MOSFET produced using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters and relay drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conductance at gate bias in the 3V to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic level (5V) integrated circuits.

• Temperature compensating PSPICE® model
• Can be driven directly from CMOS, NMOS and TTL circuits
• Peak current vs pulse width curve
• UIS rating curve

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
14 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
42 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
50 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 5 В, 40 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
670 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 V, +10 V
Вес, г
0.57

Дополнительная информация

Datasheet RFD14N05LSM

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.