RFD16N05LSM9A, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 50 В, 47 мОм, 5 В, 2 В

PartNumber: RFD16N05LSM9A
Ном. номер: 8099306777
Производитель: Fairchild Semiconductor
RFD16N05LSM9A, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 50 В, 47 мОм, 5 В, 2 В
Доступно на заказ 696 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
85 руб. × = 85 руб.
от 25 шт. — 74 руб.
от 50 шт. — 57 руб.


The RFD16N05LSM9A is a N-channel logic level Power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits give optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, switching regulators, switching converters and emitter switches for bipolar transistors. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conductance at gate biases in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. Formerly developmental type TA09871.

• UIS SOA rating curve (single pulse)
• Can be driven directly from CMOS, NMOS and TTL circuits
• SOA is power dissipation limited
• Nanosecond switching speeds
• Linear transfer characteristics
• High input impedance
• Majority carrier device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet RFD16N05LSM9A