Мой регион: Россия

RFP12N10L, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 100 В, 0.2 Ом, 5 В, 2 В

Ном. номер: 8192417616
PartNumber: RFP12N10L
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 RFP12N10L, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 100 В, 0.2 Ом, 5 В, 2 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 RFP12N10L, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 100 В, 0.2 Ом, 5 В, 2 ВФото 3/3 RFP12N10L, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 100 В, 0.2 Ом, 5 В, 2 В
96 руб.
712 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 82 руб.
от 100 шт. — 63 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
410 руб. 8 дней, 574 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 64 руб.
от 100 шт. — 52 руб.
72 руб. 3-4 недели, 4930 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 65 руб.
от 100 шт. — 53 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The RFP12N10L is a 100V N-channel logic level enhancement mode power MOSFET designed for logic level 5V driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching and solenoid drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conduction at gate biases in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Compatible with automotive drive requirements
• Can be driven directly from QMOS, NMOS and TTL circuits
• High input impedance
• Nanosecond switching speed
• Linear transfer characteristics

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
9.4мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 9.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
100 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
900 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 V, +10 V
Вес, г
2.041

Дополнительная информация

Datasheet RFP12N10L

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.