RFP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220AB]

Артикул: RFP50N06
Ном. номер: 20776
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 RFP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220AB]
Фото 2/4 RFP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220AB]Фото 3/4 RFP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220AB]Фото 4/4 RFP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
45 руб. × = 45 руб.
от 50 шт. — 38 руб.
от 500 шт. — 36 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The RFP50N06 is a 60V N-channel power MOSFET using MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. The MOSFET is designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. This transistor can be operated directly from integrated circuits. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Temperature compensating PSPICE® model
• Peak current vs. pulse width curve
• UIS Rated curve
• 175°C Rated junction temperature

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet RFP50N06
Datasheet RFP50N06
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов