RGCL80TS60GC11, БТИЗ транзистор, 65 А, 1.4 В, 148 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

402 шт., срок 8-10 недель

960 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 820 руб.

от 100 шт. — 643 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 2 880 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001734439

Артикул: RGCL80TS60GC11

Бренд: Rohm

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Collector Emitter Saturation Voltage	1.4В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	65А
Power Dissipation	148Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247N
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Pd - рассеивание мощности	148 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGCL80TS60
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	65 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-247N-3
Вес, г	2