RGT16NL65DGTL, БТИЗ транзистор, 16 А, 1.65 В, 94 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

37 шт., срок 8-10 недель

640 руб.

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 10 шт. — 540 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 3 200 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8002876297

Артикул: RGT16NL65DGTL

Бренд: Rohm

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT

Collector Emitter Saturation Voltage	1.65В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	16А
Power Dissipation	94Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Pd - рассеивание мощности	94 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	RGT16NL65D
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	16 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-263L-3
Вес, г	2