RGT50TM65DGC9, БТИЗ транзистор, 21 А, 1.65 В, 47 Вт, 650 В, TO-220NFM, 3 вывод(-ов)

RGT50TM65DGC9, БТИЗ транзистор, 21 А, 1.65 В, 47 Вт, 650 В, TO-220NFM, 3 вывод(-ов)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001797657
Артикул: RGT50TM65DGC9
Производитель: Rohm
500 руб.
40 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 370 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 500 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 175 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 650В
Стиль Корпуса Транзистора TO-220NFM
Рассеиваемая Мощность 47Вт
DC Ток Коллектора 21А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.65В
Вес, г 2

Дополнительная информация

Datasheet RGT50TM65DGC9

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.