Мой регион: Россия

RGTH40TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 23 А, 1.6 В, 56 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

Ном. номер: 8001797659
PartNumber: RGTH40TK65DGC11
Производитель: Rohm
Фото 1/2 RGTH40TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 23 А, 1.6 В, 56 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 RGTH40TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 23 А, 1.6 В, 56 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
540 руб.
30 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 406 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 руб.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
DC Ток Коллектора
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
16мм
Transistor Configuration
Одиночный
Производитель
ROHM
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
23 A
Тип корпуса
TO-3PFM
Максимальное рассеяние мощности
56 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
5мм
Number of Transistors
1
Высота
21мм
Число контактов
3
Размеры
16 x 5 x 21мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Тип канала
N
Емкость затвора
47пФ
Вес, г
2

Дополнительная информация

Datasheet RGTH40TK65DGC11

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.