Мой регион: Россия

RGTH50TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 26 А, 1.6 В, 59 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

Ном. номер: 8001797661
PartNumber: RGTH50TK65DGC11
Производитель: Rohm
Фото 1/2 RGTH50TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 26 А, 1.6 В, 59 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 RGTH50TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 26 А, 1.6 В, 59 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
570 руб.
30 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 427 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
520 руб. 8 дней, 15 шт. 5 шт. 5 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
DC Ток Коллектора
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
16мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ROHM
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
26 А
Тип корпуса
TO-3PFM
Максимальное рассеяние мощности
59 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
5мм
Number of Transistors
1
Высота
21мм
Число контактов
3
Размеры
16 x 5 x 21мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Тип канала
N
Емкость затвора
57пФ
Вес, г
2

Дополнительная информация

Datasheet RGTH50TK65DGC11

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.