RGW80TK65GVC11, БТИЗ транзистор, 39 А, 1.5 В, 81 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28 шт., срок 8-10 недель
1 000 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
850 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 3 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 39А |
Power Dissipation | 81Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
Pd - рассеивание мощности | 81 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 39 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 39 A |
Подкатегория | IGBTs |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-3PFM |
Вес, г | 6.35 |
Техническая документация
Datasheet RGW80TK65GVC11
pdf, 1555 КБ
Datasheet RGW80TK65GVC11
pdf, 1549 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.