RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]

RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
237 шт. со склада г.Москва
680 руб.
от 5 шт.592 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 680 руб.
Номенклатурный номер: 9000343682
Артикул: RJH60F5DPQ-A0#T0
Бренд: Renesas Technology

Описание

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260400mW 3-Pin(3+Tab) TO-247A

Технические параметры

Технология/семейство Trench
Наличие встроенного диода Да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 260.4
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 53
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 105
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус TO-247A
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet RJH60F5DPQ-A0
pdf, 88 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.