RJP30H2ADPE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
188 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
1 060 руб.
от 2 шт. —
940 руб.
от 5 шт. —
854 руб.
от 10 шт. —
813.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 060 руб.
Описание
Электроэлемент
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А
Технические параметры
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
RJP30H2A
pdf, 260 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
