S25FL128LAGMFV010, Флеш память, Последовательная NOR, 128 Мбит, 16М x 8бит, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)

S25FL128LAGMFV010, Флеш память, Последовательная NOR, 128 Мбит, 16М x 8бит, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 260 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.1 110 руб.
от 25 шт.1 080 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 3 780 руб.
Номенклатурный номер: 8000159749
Артикул: S25FL128LAGMFV010

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH

The S25FL128LAGMFV010 from Cypress Semiconductor is a 128Mbit (16Mbyte), 3.0V FL-L flash memory device in 8 pin SOIC package. It is a flash non-volatile memory product using 65nm floating gate process technology. Traditional SPI single bit serial input and output (single I/O or SIO) is supported as well as optional two bit (dual I/O or DIO), four bit wide quad I/O (QIO) and quad peripheral interface (QPI) commands. In addition, there are double data rate (DDR) read commands for QIO and QPI that transfer address and read data on both edges of the clock. It offers high densities coupled with flexibility and fast performance required by a variety of mobile or embedded applications. Provides an ideal storage solution for systems with limited space, signal connections and power. This memory offers flexibility and performance well beyond ordinary serial flash devices. It is ideal for code shadowing to RAM, executing code directly (XIP) and storing re-programmable data.

• Burst wrap, continuous (XIP), QPI modes, serial peripheral interface (SPI) with multi-I/O
• x1/x2/x4 bus width, 133MHz speed, 2.7V to 3.6V single supply voltage with CMOS I/O
• 100.000 minimum program/erase cycles, 20 year minimum data retention
• 6MB/s (50MHz) normal read speed, 16.5MB/s (133MHz) fast read speed
• Legacy block protection (block range), individual and region protection
• Normal, fast, dual I/O, quad I/O, dualO, quadO, DDR quad I/O commands
• Extended addressing (24 or 32bit address options)
• Serial flash discoverable parameters (SFDP) for configuration information
• Program suspend and resume, erase suspend/resume, 1024B security region / OTP
• Status and configuration register protection, temperature range from -40°C to +105°C

Технические параметры

Количество Выводов 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти 16М x 8бит
Линейка Продукции 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура 105 C
Максимальное Напряжение Питания 3.6В
Минимальная Рабочая Температура -40 C
Минимальное Напряжение Питания 2.7В
Размер Памяти 128Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SOIC
Тактовая Частота 133МГц
Тип Flash Памяти Последовательная NOR
Тип Интерфейса ИС SPI
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3-168 часов
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1272 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем