Мой регион: Россия

S25FL128SAGBHI200, Флеш память, NOR, Последовательная NOR, 128 Мбит, SPI, BGA, 24 вывод(-ов)

Ном. номер: 8211056455
PartNumber: S25FL128SAGBHI200
Производитель: Cypress Semiconductor
S25FL128SAGBHI200, Флеш память, NOR, Последовательная NOR, 128 Мбит, SPI, BGA, 24 вывод(-ов)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
360 руб.
4924 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 287 руб.
от 25 шт. — 283 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
305 руб. 3-4 недели, 1 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

S25FL128SAGBHI200 является энергонезависимой MirrorBit® Flash памятью 128МБ CMOS 3В с гибкими последовательным интерфейсом I/O и multi-I/O. Это семейство устройств подключается к хост-системе через SPI интерфейс. Кроме того, семейство FL-S добавляет поддержку команд считывания с двойной скоростью передачи данных (DDR) для SIO, DIO и QIO, которые передают адрес и считывают данные на обоих краях тактового сигналов. Архитектура Eclipse обладает буфером программирования страниц, который позволяет запрограммировать до 128 слов (256 байт) за одну операцию. Это приводит к более эффективному программированию и стиранию, чем предыдущее поколение алгоритмов SPI программирования/удаления. Выполнение кода непосредственно из Flash-памяти часто называется Execute-In-Place или XIP. Используя устройство FL-S с более высокими тактовыми частотами и командами QIO или DDR-QIO, скорость считывания инструкций может соответствовать или превосходить скорости традиционного параллельного интерфейса и асинхронно

• Полярность тактового генератора SPI и режимы фаз 0 и 3
• Набор команд Mutli I/O и футпринт соответствует семейству S25FL-P SPI
• CFI интерфейс данных для информации о конфигурации
• QPP для систем с медленной синхронизацией
• Срок службы - 100000 циклов программирования-удаления на любом секторе
• Хранение данных - типичное значение 20 лет
• Массив 1024 байта для одноразовой записи
• Биты регистра состояния для управления защитой от программирования/удаления секторов со смежным диапазоном
• Защита отдельного сектора обеспечивается загрузочным кодом или паролем
• Технология Spansion® 65nm MirrorBit с архитектурой Eclipse™

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH

Технические параметры

Минимальная Рабочая Температура
Максимальная Рабочая Температура
Максимальное Напряжение Питания
Минимальное Напряжение Питания
Количество Выводов
Тип Интерфейса ИС
Тактовая Частота
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Размер Памяти
Линейка Продукции
Тип Flash Памяти
Вес, г
16.66

Дополнительная информация

Datasheet S25FL128SAGBHI200

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.