S29GL256P90TFIR10, Флеш память, NOR, 256 Мбит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)

PartNumber: S29GL256P90TFIR10
Ном. номер: 8109838618
Производитель: Cypress Semiconductor
S29GL256P90TFIR10, Флеш память, NOR, 256 Мбит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
Доступно на заказ 180 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
480 × = 480
от 10 шт. — 385 руб.
от 100 шт. — 346 руб.

Описание

The S29GL256P90TFIR10 is a 256MB page mode Flash Memory fabricated on 90nm MirrorBit® Process technology. This device offers a fast page access time of 90ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. It features a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes the device ideal for todays eMBedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.

• Highest address sector protected
• Versatile I/O™ control
• Secured silicon sector region - Can be programmed and locked at the factory or by the customer
• 100000 Erase cycles per sector typical
• 20 Years data retention typical
• Suspend and resume commands for program and erase operations
• Write operation status bits indicate program and erase operation completion
• Unlock bypass program command - Reduces programming time
• Support for CFI
• Persistent and password methods of advanced sector protection
• WP#/ACC input - Protects first or last sector regardless of sector protection settings
• Accelerates programming time for greater throughput during system production
• Hardware reset input resets device
• Ready/busy# output detects program or erase cycle completion

Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH

Технические параметры

Тип памяти
Флэш - ИЛИ-НЕ
Линия Продукции
3V Parallel NOR Flash Memories
Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
85°C
Максимальное Напряжение Питания
3.6В
Минимальное Напряжение Питания
Количество Выводов
56вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов
Упаковка
Поштучно
Тип Интерфейса ИС
Параллельный
Время Доступа
90нс
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
TSOP
Размер Памяти
256Мбит

Дополнительная информация

Datasheet S29GL256P90TFIR10