SBC807-16LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,5А, 0,225Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

29 руб.

Кратность заказа 10 шт.

от 50 шт. — 19 руб.

от 250 шт. — 16 руб.

от 1000 шт. — 12.40 руб.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 290 руб.

Номенклатурный номер: 8002679603

Артикул: SBC807-16LT1G

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,5А, 0,225Вт, SOT23 Характеристики

EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
PCB changed	3
Package Height	0.94
Mounting	Surface Mount
Lead Shape	Gull-wing
Package Width	1.3
Package Length	2.9
Type	PNP
Product Category	Bipolar Small Signal
Material	Si
Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	45
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.7@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)	0.5
Minimum DC Current Gain	100@100mA@1V\|40@500mA@1V
Maximum Power Dissipation (mW)	300
Maximum Transition Frequency (MHz)	100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Supplier Temperature Grade	Automotive
Packaging	Tape and Reel
Automotive	Yes
AEC Qualified Number	AEC-Q101
Supplier Package	SOT-23
Pin Count	3
Standard Package Name	SOT
Military	No
Collector Current (Ic)	500mA
Collector Cut-Off Current (Icbo)	100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	45V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	700mV@50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@100mA, 1V
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	300mW
Transistor Type	PNP
Transition Frequency (fT)	100MHz
Вес, г	0.08

pdf, 188 КБ

Мы рекомендуем