SBC847BPDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 45 В, 100 мА, 380 мВт, 200 hFE, SOT-363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
47 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 3 000 руб.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 600 mV, 650 mV |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 380 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN, PNP |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 268 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
