SBC847CWT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
62 руб.
от 10 шт. —
44 руб.
от 100 шт. —
26 руб.
от 1000 шт. —
11.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 62 руб.
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 45В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 420hFE |
DC Усиление Тока hFE | 420hFE |
Power Dissipation | 200мВт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | BC847 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Частота Перехода ft | 100МГц |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 105 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов