SBC847CWT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V

SBC847CWT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
62 руб.
от 10 шт.44 руб.
от 100 шт.26 руб.
от 1000 шт.11.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 62 руб.
Номенклатурный номер: 8006278864
Артикул: SBC847CWT1G

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 45В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 420hFE
DC Усиление Тока hFE 420hFE
Power Dissipation 200мВт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции BC847
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Частота Перехода ft 100МГц
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 105 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов