SGB15N60HS (G15N60HS), IGBT N-CH 600V 27A [TO-263]
![SGB15N60HS (G15N60HS), IGBT N-CH 600V 27A [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/343/DOC001343908.jpg)
Только в рознице. Цена и сроки поставки по запросу
100 руб.
от 15 шт. —
95 руб.
от 150 шт. —
по запросу
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 100 руб.
Номенклатурный номер: 9030000087
Артикул: SGB15N60HS (G15N60HS)
PartNumber: SGB15N60HSATMA2
Производитель: Infineon Technologies
Технические параметры
Технология/семейство | npt |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 27 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.15 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 138 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 13 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 209 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | p-to-263-3-2 |
Структура | n-канал |
Управляющее напряжение,В | 4 |
Крутизна характеристики, S | 10 |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
SGB15N60HS
pdf, 815 КБ
Дополнительная информация
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Цена и наличие в магазинах
С этим товаром покупают