SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт [TO-220] (замена для BUP213)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
770 руб.
от 15 шт. —
714 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 770 руб.
Номенклатурный номер: 9010000152
Артикул: SGP15N120XKSA1 (GP15N120)
PartNumber: SGP15N120XKSA1
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 198000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Технические параметры
Технология/семейство | NPT | |
Наличие встроенного диода | Нет | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 30 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 52 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.6 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 198 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 18 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 580 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | PG-TO-220-3-1 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 402 КБ
Datasheet SGP15N120XKSA1
pdf, 419 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают