Мой регион: Россия

SI1025X-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -190 мА, -60 В, 4 Ом, -4.5 В, -3 В

Ном. номер: 8189348754
PartNumber: SI1025X-T1-GE3
Производитель: Vishay
Фото 1/3 SI1025X-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -190 мА, -60 В, 4 Ом, -4.5 В, -3 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 SI1025X-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -190 мА, -60 В, 4 Ом, -4.5 В, -3 ВФото 3/3 SI1025X-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -190 мА, -60 В, 4 Ом, -4.5 В, -3 В
59 руб.
8674 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 47 руб.
от 100 шт. — 31 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
23 руб. 8 дней, 960 шт. 20 шт. 20 шт.
48 руб. 3-4 недели, 673 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 40 руб.
от 25 шт. — 39.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The SI1025X-T1-GE3 is a P-channel MOSFET designed for use with relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories and transistor driver, battery operated systems, power supply converter circuits and solid state relay applications. It offers ease in driving switches, low offset voltage, low-voltage operation, high-speed circuits, easily driven without buffer and small board area.

• Halogen-free
• TrenchFET® power MOSFET
• High-side switching
• 4R Low ON-resistance
• 2V Low threshold
• 20ns Fast switching speed
• 23pF Low input capacitance
• Miniature package

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
135 мА
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.2мм
Высота
0.6мм
Размеры
1.7 x 1.2 x 0.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
1.7мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
20 ns
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
35 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
8 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
1.7 nC @ 15 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
23 pF @ -25 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.5

Дополнительная информация

Datasheet SI1025X-T1-GE3
Datasheet SI1025X-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.