Мой регион: Россия

SI1029X-T1-GE3, MOSFET Dual N/P-Ch 60V 0

PartNumber: SI1029X-T1-GE3
Ном. номер: 8000004435
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SI1029X-T1-GE3, MOSFET Dual N/P-Ch 60V 0
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SI1029X-T1-GE3, MOSFET Dual N/P-Ch 60V 0
43 руб.
6220 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 160 шт. — 27 руб.
от 760 шт. — 21 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
10.10 руб. 3-4 недели, 36000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 6000 шт. — 10 руб.
от 12000 шт. — 9.70 руб.
51 руб. 3-4 недели, 2727 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 38.40 руб.
от 25 шт. — 34.50 руб.
43 руб. 2-3 недели, 1110 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 40 руб.
от 100 шт. — 28 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
190 мА, 300 мА
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.7мм
Высота
0.6мм
Размеры
1.7 x 1.7 x 0.6мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
2
Длина
1.7мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
15 нс, 20 нс
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
20 нс, 35 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω, 8 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
1700 нКл при 15 В, 750 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
23 пФ при -25 В, 30 пФ при 25 В
Тип канала
N, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet SI1029X-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.