SI1031R-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -140 мА, -20 В, 8 Ом, -4.5 В, 900 мВ

PartNumber: SI1031R-T1-GE3
Ном. номер: 8109915245
Производитель: Vishay
SI1031R-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -140 мА, -20 В, 8 Ом, -4.5 В, 900 мВ
Доступно на заказ 3845 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
38 руб. × = 38 руб.
от 25 шт. — 36 руб.
от 100 шт. — 22 руб.

Описание

The SI1031R-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.

• 2000V Gate-source ESD protected
• High-side switching
• Low ON-resistance
• Low threshold
• 45ns Fast switching speed
• 1.5V Rated voltage
• Halogen-free
• Ease in driving switches
• Low offset voltage
• Low-voltage operation
• High-speed circuits
• Low battery voltage operation

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SC-75A
Рассеиваемая Мощность
250мВт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-20В
Непрерывный Ток Стока
-140мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
8Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
900мВ

Дополнительная информация

Datasheet SI1031R-T1-GE3