SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор 1.4A 30V N Channel 1.5V 250uA 0.132 1.4A,10V 0.4W [SOT-323]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

32 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 32 руб.

Номенклатурный номер: 9000436272

Артикул: SI1308EDL-T1-GE3

Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	1.5 A
Maximum Drain Source Resistance	185 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	400 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.6V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	1.4 nC @ 4.5 V
Width	1.35mm
Вес, г	0.034