SI1424EDH-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 20 В, 0.027 Ом, 4.5 В, 400 мВ

PartNumber: SI1424EDH-T1-GE3
Ном. номер: 8002567548
Производитель: Vishay
SI1424EDH-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 20 В, 0.027 Ом, 4.5 В, 400 мВ
Доступно на заказ 1420 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
10 руб. × = 10 руб.
от 25 шт. — 9.50 руб.
от 100 шт. — 9.30 руб.

Описание

The SI1424EDH-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switching and battery switch applications.

• 4000V ESD performance
• 100% Rg tested
• -55 to 150°C Operating temperature range
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-363
Рассеиваемая Мощность
2.8Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.027Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
400мВ

Дополнительная информация

Datasheet SI1424EDH-T1-GE3