SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3]

SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1331 шт. со склада г.Москва
24 руб.
от 100 шт.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 24 руб.
Номенклатурный номер: 9000928793
Артикул: SI2300DS-T1-GE3-VB

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.028 Ом/5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.1
Крутизна характеристики, S 24
Корпус SOT-23-3
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet SI2300DS-T1-GE3
pdf, 877 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.