SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1331 шт. со склада г.Москва
24 руб.
от 100 шт. —
18 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 24 руб.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.028 Ом/5А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 | |
Крутизна характеристики, S | 24 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet SI2300DS-T1-GE3
pdf, 877 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.