SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]

Артикул: SI2301BDS-T1-E3
Ном. номер: 9000017246
Производитель: Vishay
Фото 1/3 SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]
Фото 2/3 SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]Фото 3/3 SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -4.7А [SOT-23]
Есть в наличии 326 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
10 руб. × = 10 руб.
от 100 шт. — 9 руб.
от 1000 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The SI2301BDS-T1-E3 is a 2.5VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

• 100% Rg tested
• -55 to 150°C Operating temperature range

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-0.95

Техническая документация

si2301bds
pdf, 61 КБ

Дополнительная информация

Datasheet SI2301BDS-T1-E3
Datasheet SI2301BDS-T1-E3
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов