SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -2.2А [SOT-23]
![Фото 1/4 SI2301BDS-T1-E3, Транзистор, P-канал, -20В -2.2А [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 руб.
от 100 шт. —
44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 48 руб.
Посмотреть аналоги2
Описание
Описание Транзистор маломощный
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/2.8А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 | |
| Крутизна характеристики, S | 6.5 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.95 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
si2301bds
pdf, 61 КБ
Datasheet Si2301BDS
pdf, 174 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
