SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 2.6А 20В [SOT-23]
![Фото 1/4 SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 2.6А 20В [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 руб.
от 100 шт. —
41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 44 руб.
Описание
Транзистор полевой N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.057 Ом/3.6А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.71 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 219 КБ
Datasheet Si2302CDS
pdf, 214 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
