SI2306BDS-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 3.16А [SOT-23-3]

Фото 2/5 SI2306BDS-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 3.16А [SOT-23-3]Фото 3/5 SI2306BDS-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 3.16А [SOT-23-3]Фото 4/5 SI2306BDS-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 3.16А [SOT-23-3]Фото 5/5 SI2306BDS-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 3.16А [SOT-23-3]
Фото 1/5 SI2306BDS-T1-E3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 3.16А [SOT-23-3]
690 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
106 руб.
от 10 шт.89 руб.
от 30 шт.75.40 руб.
от 100 шт.65.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 106 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 9000451959
Артикул: SI2306BDS-T1-E3
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: Vishay

Описание

SI2306BDS-T1-E3 - это силовой полевой МОП-транзистор TrenchFET® с N-каналом 30VDS и улучшенным режимом с антипараллельным диодом.

• 100% Rg протестировано
• от -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора TO-236
Рассеиваемая Мощность 1.25Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.038Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г 0.1

Техническая документация

2306
pdf, 205 КБ
Datasheet SI2306BDS-T1-E3
pdf, 176 КБ
Datasheet SI2306BDS-T1-E3
pdf, 213 КБ
Datasheet SI2306BDS-T1-E3
pdf, 207 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах